跟着东说念主工智能（AI）数据中心阛阓呈现爆炸式增长宿迁铁皮保温施工队，“热照管”已成为决定AI基础要道竞争力的中枢工夫。半体、冷却系统、电力斥地乃至真金不怕火油行业王人在进入热照管工夫研发。

据阛阓规划公司 Fortune Business Insights 预测，公共热照管系统阛阓预测将从 2025 年的 819.7 亿好意思元增长至 2034 年的 1694 亿好意思元，复合年增长率为 8.5。东说念主工智能数据中心要道投资预测也将从昨年的 7500 亿好意思元飙升至本年的 1 万亿好意思元。

注：把柄 Dell'Oro Group 的预测，公共数据中心成本开销 (CapEx) 预测将在 2026 年次过 1 万亿好意思元，这印证了上述数字的发展趋势。

位业内东说念主士指出：“数据中心冷却式分为风冷、芯片液冷和浸没式冷却。”他补充说念：“其中，浸没式冷却动作下代冷却工夫正日益受到关心。”该东说念主士逾越解释说：“提冷却率关于提高电源使用率（PUE）至关艰辛，韩国正在积开展相关工夫研发，包括开发浸没式冷却治理案。”

在半体行业，散热照管已成为下代存储器竞争的中枢。额外是带宽存储器（HBM）——东说念主工智能半体的中枢——接管了种将DRAM芯片堆叠成多层的结构。跟着堆叠层数的加多，有散热工夫变得发艰辛。

三星电子（005930.KS）近日发布了新代3D内存工夫“zHBM”。zHBM将内存垂直堆叠在AI加快器之上，裁汰了数据传输距离，与传统HBM比较，系统能提高达8倍，能提高达3倍。值得提的是，zHBM有望通过将热阻诽谤半来有治理散热问题。

三星还展示了款名为“zNAND-O”的能NAND治理案。该案辘集了V-NAND堆叠工夫和硅通孔（TSV），可将NAND芯片堆叠成4层或8层结构，见解阛阓为斥地端和边际AI阛阓。

SK海力士（000660.KS）雷同展示了其下代存储工夫HBF（带宽闪存），并将散热照管工夫定位为中枢竞争势。该公司在HBM4和HBM4E的研发历程中，不断进散热材料和封装工夫的逾越。SK海力士与闪迪共同发布了个怒放的HBF法式范例，旨在拓展HBF生态系统。

上周，两公司在加州圣克拉拉举行的“FMS 2026”大会上发布了系列下代内存工夫。其中引东说念主精细的是CXL（Compute Express Link），它被誉为下代HBM。CXL工夫概况将CPU、GPU和内存有机邻接起来，从而扩展带宽和容量。

三星电子展示了基于CXL内存池的KV缓存卸载实验效力，解说了大容量内存池工夫的后劲。SK海力士与Marvell配合出了基于CXL的PNM（近内存处理）内存模块“CMM-Ax”，并暴露在长高下文LLM环境下，其浑沌量比单个GPU出5.5倍。

PIM（内存内处理）工夫，即内存同期引申野心任务，是两公司王人在放浪投资的另个域。三星电子凭借其LPDDR5X-PIM（公共款此类家具）荣获“FMS佳展示”，而SK海力士则发布了其LPDDR6-PIM开发阶梯图。这项工夫面向边际AI阛阓——举例需通过中央云平台的斥地端AI——其势在于概况以低功耗运行能AI。

LG电子正将制冷业务造为东说念主工智能期间翌日的增长引擎。东说念主工智能数据中心制冷治理案是LG电子B2B业务的中枢域之。凭借其现存的商用暖通空调业务宿迁铁皮保温施工队，该公司正积进冷水机组、冷却系统和空调斥地的研发，以对准公共数据中心阛阓。

大信证券分析师朴康浩解释说：“为止本年上半年，该公司已获取约6000亿韩元（约合4.263亿好意思元）的东说念主工智能数据中心冷却治理案订单。”他补充说念：“如若LG电子所示意的价值数万亿韩元的稀薄订单概况完竣，预测到2027年，其环保治理案（ES）部门的盈利技艺将得到提高。”

注：LG电子2026年上半年新订单总数约为9500亿韩元（约合6.75亿好意思元）。该公司正通过扩大国表里产能并应用其获取英伟达认证的液冷斥地，增强其国外订单竞争力。（News1，铁皮保温施工2026年7月30日）

东说念主工智能数据中心的功率密度远于平常事业器，仅靠传统的风冷难以有散热。LG电子正将其辘集冷水机和液冷工夫的轮廓冷却治理案拓展至北好意思和欧洲阛阓。

跟着热照管工夫成为新的竞争前沿，电力斥地公司和真金不怕火油行业也在加快冷却域的工夫发展。

LS Electric 和晓星重工正在扩大其数据中心电源斥地和压变压器业务，同期注于开发概况减少发烧量并提冷却能的电源斥地。

SK Enmove正悉力于于研发用于浸没式冷却的冷却液，将其动作翌日的增长业务。浸没式冷却是将事业器径直浸入种特殊的、不电的介电冷却液中以带走热量的法。与传统的风冷比较，它具有的冷却率和低的能耗，因此被视为东说念主工智能数据中心的下代冷却工夫而备受关心。

真金不怕火油行业也正密切关心热照管液阛阓的增长后劲。HD Hyundai Oilbank正与尔国立大学东说念主工智能数据中心和韩国陶瓷工程工夫规划院配合，展示其“Xtier E-Cooling Fluid”家具。S-Oil的浸没式冷却液“e-Cooling Solution”是种适用于包括数据中心、储能系统（ESS）和电动汽车（EV）电板在内的温环境的热管理会决案。该公司贪图与成均馆大学野心中心等机构开展示范测试。

与此同期，主东说念主工智能半体阛阓的英伟达据称正在探求诽谤其下代GPU“Rubin Ultra”的HBM内存建立。这被解读为搪塞能HBM供应穷乏的项步调。

阛阓规划公司TrendForce预测，DRAM供应穷乏预测将抓续到2027年。尽管HBM位出货量预测在2027年同比增长50至60，但仍法餍足阛阓需求。SK海力士已公开暴露，其2026年的HBM、DRAM和NAND产能已沿途售罄，三星电子也警告称，内存穷乏将抓续到2027年。

注：TrendForce 于 2026 年 8 月 4 日认真告示，英伟达已启动评估 12 层 HBM4E 的低规格替代案。此前，12 层 HBM4E 直是 2025 年至 2026 年上半年 Rubin Ultra 的基准规格。此举是由于 DRAM 供应穷乏抓续到 2027 年，以及 12 层 HBM4E 的考证和良率时期表存在省略情所致。此前，由于 LPDDR5X 供应受限，英伟达已将其下代 Vera Rubin 芯片的 SOCAMM 容量减半。此外，事业器厂商也在 2026 年上半年削减了 RDIMM 的容量——这标明内存供应病笃的神志正在延迟至统共东说念主工智能半体规格域。

如若英伟达诽谤HBM规格，客户可能需要部署多GPU来处理大型讲话模子（LLM）理等AI责任负载。这可能会致包括微软、Meta、亚马逊和谷歌在内的主要云运营商加多数据中心树立成本，这些运营商正在扩大其AI基础要道投资。

但是，业内不雅察东说念主士将英伟达的这举动解读为个符号事件，标明“内存墙”正在成为东说念主工智能扩展的舛错瓶颈。这响应了这么个本质：尽管东说念主工智能的野心需求呈爆炸式增长，但HBM的供应却受到物理产能彭胀速率的制约。

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